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微机原理半导体存储器内存储器及其管理;微机原理第六章 半导体存储器、内存储器及其管理 ;主 要 内 容;存储器分级结构;存储器分级结构;存储器的分级体系结构（P243）;完整的四级结构（P244） ：
寄存器 ＋ Cache ＋ 主存 ＋ 辅存;Cache技术（P285） 和虚拟存储器技术（P286）;存储器分级;存储器分类;存储器分类;存储器分类;半导体存储器的分类 ;存储器的分类及选用（P245）;存储器的技术指标（247）;只读存储器ROM;掩膜ROM的内容;浮栅 MOS EPROM存储电路;FLASH特点;FLASH特点;FLASH内部结构框图;存储器比较;每个基本存储单元可存放1个bit;静态RAM的六管基本存储单元（P264）;动态RAM的单管基本存储单元（P270）;典型的SRAM内部示意图 ;读 写 控 制 逻 辑;RAM芯片的组成与结构（二）（P265）;内存储器的基本结构;存 储 芯 片 的 位 扩 展;存 储 芯 片 的 字 扩 展;存储芯片的字、位同时扩展;内存储器的扩展设计（P275）;内 存 地 址 空 间 的 分 配;存 储 芯 片 的 选 择;存储器内部结构的确定（存储芯片的互连方式）;扩展内存储器与主机（CPU）三总线的接口;扩展内存储器片选译码电路的设计;全译码电路 ;部分译码电路;线选法电路; 例：设某系统地址总线宽度为20bit，数据总线宽度为8bit，控制信号M/(/IO)为高电平时表示对存储单元寻址。现采用8K*8芯片实现32KB扩展存储器，要求其地址从0C0000H 开始，试画出该扩展存储器与系统三总线的连接方式。;用全译码法实现扩展存储器的片选设计;符合要求的全译码电路（一）;符合要求的全译码电路（二）;用部分译码法实现扩展存储器的片选设计;谢谢观看！
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