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- 2023-07-02 发布于四川
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本发明提供一种复合缓冲层及其制备方法、外延片及发光二极管，外延片包括网格层、依次层叠在所述网格层上的第一缓冲层、第二缓冲层以及第三缓冲层；其中，所述网格层为Al层，所述第一缓冲层为AlN层，所述第二缓冲层为AlInN层，所述第三缓冲层为GaN层；所述第二缓冲层的Al组分由靠近所述第一缓冲层的一端向另一端逐渐降低，所述第二缓冲层的In组分由靠近所述第一缓冲层的一端向另一端逐渐升高。本发明解决了现有技术中的外延片缺陷密度高而导致发光效率低的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116364825 A
(43)申请公布日 2023.06.30
(21)申请号 202310638961.4
(22)申请日 2023.06.01
(71)申请人 江西兆驰半导体有限公司
地址 3
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