1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种FinFET制造方法.pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约9.53千字
  • 约 13页
  • 2023-07-02 发布于四川
  • 举报

一种FinFET制造方法.pdf

    本发明公开了一种FinFET制造方法，包括：采用多重图形化掩膜工艺形成包括衬底、第一氧化层、硬掩膜层、第二氧化层和多个间隔件的结构；对上述图形化的结构进行蚀刻，在与多个间隔件位置对应的部分形成多个鳍片，每个鳍片上方形成有第一氧化层、硬掩膜层和第二氧化层；在相邻两个鳍片之间形成浅沟道隔离区，浅沟道隔离区的高度与鳍片的高度相同；对每个浅沟道隔离区进行凹陷处理在相邻两个鳍片之间形成凹槽，以露出鳍片的上部；在每个鳍片和每个凹槽表面沉积ALD薄膜；对沉积有ALD薄膜的多个鳍片和凹槽进行切割处理。由此，可以

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745109 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202010464454.X H01L 29/78 (2006.01) (22)申请日 2

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >