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半导体存储装置及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-07-02 发布于四川
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半导体存储装置及其形成方法.pdf

    本发明公开了半导体存储装置及其形成方法，其包括衬底以及电容器。电容器设置在衬底上并包括由下而上依序堆叠的底电极层、电容介电层、以及顶电极层，以及第一含铝隔绝层。第一含铝隔绝层包括氮化铝钛或氮氧化铝，直接接触设置电容介电层并位在底电极层以及顶电极层之间。藉此，本发明的半导体存储装置可有效改善漏电流问题。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745227 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202111051859.1 (22)申请日 2021.09.08 (71)申请人 福建省晋华集成电路有限公司

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