半导体专业实验补充silvaco器件仿真.docxVIP

实验 2 PN 结二极管特性仿真 1、实验内容 PN 结穿通二极管正向I-V 特性、反向击穿特性、反向恢复特性等仿真。 结构和参数：PN结穿通二极管的结构如图1所示，两端高掺杂，n-为耐压层，低掺杂， 具体参数：器件宽度4μm，器件长度20μm，耐压层厚度16μm，p+区厚度2μm，n+区厚度2μm。 掺杂浓度：p+区浓度为1×1019cm-3，n+区浓度为1×1019cm-3，耐压层参考浓度为5×1015 cm-3。 0 0 W p+ n- n+ 图 1 普通耐压层功率二极管结构 2、实验要求 掌握器件工艺仿真和电气性能仿真程序的设计 掌握普通耐压层击穿电压与耐压层厚度、浓度的关系。 3、实验过程 #启动Athena go athena #器件结构网格划分； line x loc= spac= line x loc= spac= line y loc= spac= line y loc= spac= line y loc=10 spac= line y loc=18 spac= line y loc=20 spac= #初始化Si 衬底； init silicon =5e15 orientation=100 #沉积铝； deposit alum thick= div=10 #电极设置 electrode name=anode x=1 electrode name=cathode backside #输出结构图 structure outf= tonyplot #启动Atlas go atlas #结构描述 doping conc=1e20 = = =0 = uniform doping conc=1e20 = = =18 = uniform #选择模型和参数 models cvt srh print method carriers=2 impact selb #选择求解数值方法method newton # 求 解 solve init log outf= solve vanode= solve vanode= vstep= vfinal=5 name=anode #画出IV 特性曲线 tonyplot #退出quit 图2为普通耐压层功率二极管的仿真结构。正向I-V特性曲线如图3所示，导通电压接近。 图2 普通耐压层功率二极管的仿真结构 图3 普通耐压层功率二极管的正向I-V特性曲线 运用雪崩击穿的碰撞电离模型，加反向偏压，刚开始步长小一点，然后逐渐加大步长。solve vanode= vstep= vfinal=-5 name=anode solve vanode= vstep= vfinal=-20 name=anode solve vanode=-22 vstep=-2 vfinal=-40 name=anode solve vanode=-45 vstep=-5 vfinal=-240 name=anode 图4普通耐压层功率二极管的反向I-V特性曲线求解二极管反向IV特性，图4为该二极管的反向I-V特性曲线。击穿时的纵向电场分布如图5 所示，最大电场在结界面处，约为×105V? cm-1，在耐压层中线性减小到80000 图4 普通耐压 层功率二 极管的反 向I-V特 性曲线 图5 普通耐压层功率二极管击穿时的电场分布 导通的二极管突加反向电压, 需要经过一段时间才能恢复反向阻断能力。电路图如图 6 所示。设 t= 0 前电路已处于稳态，I = I 。t= 0 时，开关 K 闭合，二极管从导通向截止 d f0 过渡。在一段时间内，电流I 以 d / d = - Ur/ L 的速率下降。在一段时间内电流I 会变 d i0 t d 成负值再逐渐恢复到零。仿真时先对器件施加一个1V 的正向偏压，然后迅速改变电压给它施加一个反向电压增大到 2V。 solve vanode=1 log outf= solve vcathode= ramptime= tstop= tstep= 反向恢复特性仿真时，也可以采用如图7的基本电路，其基本原理为：在初始时刻，电 阻R 的值很小，电阻R 的值很大，例如可设R 为1×10-3 ? ，R 为1×106 ? ；电感L 可设为3nH； 1 2 1 2 1 电压源及电流源也分别给定一个初始定值v ，i ；那么由于R 远大于R ，则根据KCL可知，电 1 1 2 1 流i 主要经过R 支路，即i 的绝大部分电流稳定的流过二极管，二极管正向导通，而R 支路几 1 1 1 2 乎断路，没有电路流过。然后，在短暂的时间内，使电阻R 的阻值骤降。此时，电阻器R 作 2 2 为一个阻源，其阻值在极短的时间间隔内以指数形式从1×106 ? 下降到1×10-3 ? 。这一过 程本质上是使与其并联的连在二极管