一种提升GaAs晶片强度的处理方法.pdfVIP

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2023-07-03 发布于四川
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一种提升GaAs晶片强度的处理方法.pdf

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本发明及一种提升GaAs晶片强度的处理方法，包括按照将GaAs晶片晶向特征将其与工装粘接，在采用斜喷淋切割方式对工装晶片与工装粘接位置进行切割后，对GaAs晶片表面研磨，再将其置于腐蚀锅中，使用热碱液对该GaAs晶片腐蚀，经过清洗设备和抛光设备处理最后干燥。该提升GaAs晶片强度的处理方法，通过改变翘曲Bow值的变化，以改变衬底在外延过程中产生的边缘缺陷和外延式裂片问题，减少衬底在外延生长过程中产生的破损率，提高外延生长过程中的成品率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113764544 A (43)申请公布日 2021.12.07 (21)申请号 202110921776.7 (22)申请日 2021.08.12 (71)申请人江苏