一种SiC/SiC复合材料高致密多层基体及制备方法.pdfVIP

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2023-07-03 发布于四川
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一种SiC/SiC复合材料高致密多层基体及制备方法.pdf

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本发明涉及一种SiC/SiC复合材料高致密多层基体及制备方法，将配置好的SiC颗粒(SiCp)浆料通过真空浸渍和压力浸渍的方法，引入到多孔SiC/SiC复合材料中，然后采用CVI法在多孔SiC/SiC复合材料中制备一定含量的热解碳，使其均匀包裹SiC颗粒，最后采用RMI法通过热解碳与熔融硅的反应完成SiC/SiC复合材料的致密化。不同粒径SiC颗粒的依次引入，形成分层结构，对后续制备PyC和SiC基体产生遗传效应，获得了均匀高体积分数的SiC基体相，增加了复合材料致密度，增加了裂纹扩展的能量，有

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113754442 B (45)授权公告日 2022.07.05 (21)申请号 202111065251.4 C04B 35/622 (2006.01) (22)申请日 2021.0