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提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。半导体装置具有彼此相邻地设置于半导体基板的IGBT区域及二极管区域，该半导体装置具有：边界沟槽，其在俯视观察时在IGBT区域和二极管区域相邻的位置处，具有位于比有源沟槽或哑沟槽深的漂移层处的底面，边界沟槽具有将底面和第1主面连接且彼此相对的一个侧壁及另一个侧壁；以及边界沟槽栅极电极，其隔着边界沟槽绝缘膜面向基极层、阳极层及漂移层，在底面、一个侧壁和另一个侧壁被边界沟槽绝缘膜覆盖的边界沟槽的内部，遍及面向漂移层的区域且从边界沟槽的一个侧壁遍及至另一个侧壁
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764521 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202110593985.3
(22)申请日 2021.05.28
(30)优先权数据
2020-0976
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