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一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的第一纳米结构和第二纳米结构，所述第一纳米结构和第二纳米结构之间具有第一开口；位于部分第一开口内的隔离结构；位于衬底上的介质层，所述介质层位于部分第一开口内、部分第一纳米结构侧壁和部分第二纳米结构侧壁，所述介质层内具有第二开口，所述第二开口的延伸方向垂直于所述第一开口的延伸方向，所述第二开口暴露出所述隔离结构。所述半导体结构的性能得到提升。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113782602 A
(43)申请公布日
2021.12.10
(21)申请号 20201
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