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感测技术光电传感器; 第八章 光电传感器 光电传感器是一种将光信号转换成电信号的装置;光电效应表现形式 ① 光电导效应——光照改变半导体的导电率，从而引起半导体电阻值的变化效应，光敏电阻属于这类光电效应器件。 ② 光生伏特效应——光照改变半导体PN结电场，从而引起PN结电势的变化效应，故又称PN结光电效应，光电池、光敏晶体管等属于这类光电效应器件。 ③ 光电发射效应——光照使物体表面发射电子。 ; 一、光敏电阻 1．光敏电阻的光电效应 光敏电阻是典型的光电导效应器件。 无光照时，其阻值很高； 有光照时，其阻值大大下降，光照越强阻值越低； 光照停止，又恢复高阻状态。; 当电压U 一定时，检流计指示电流I 的大小决定于光敏电阻上的光照强度。;无光照时 电流称之为暗电流 光敏电阻的阻值很高，相应称之为暗电阻 暗电阻通常为兆欧级 有光照时 电流称之为亮电流； 光敏电阻的阻值显著减小，相应称之为亮电阻， 亮电阻一般为千欧以内。 由光照所产生的自由电子—空穴流称之为光电流，显然光电流是亮电流与暗电流之差，由于暗电流很小，在工程分析时可把亮电流看成光电流。 ; 部分光敏元件的光谱特性; （2）光照特性 在一定的电压下，光电流I 与光照强度E 的关系 光敏电阻具有很高的光照灵敏度 具有明显的非线性 可作控制元件，不宜作计量元件。 ; （3）伏安特性 在一定强度的光照下，光敏电阻的端电压与光电流的关系。是一个线性关系特性。 有最大允许功耗和最大允许电压的要求，超过此极限值将会导致元件永久性损坏。; (4）频率特性 光敏电阻上的光电流对入射光调制频率的响应特性 光敏元件具有一定的惰性，调制频率f 越高，电流相对灵敏度Kr 越低 有的材料光响应时间达几百毫秒。光敏电阻的响应时间不但与元件的材料有关，而且还与光照强弱有关，光照越强，响应的时间越短。; 光照射到PN结上时，如果光子能量足够大，就将在PN结附近激发出大量的电子—空穴对。在PN结电场作用下，N区的光生空穴被拉 向P区，P区的光生电子 被拉???N区；在P区聚积 正电荷，带正电，在N区 聚积负电荷，带负电， 即在P区和N区间形成一定 伏特数的电位差，称之 为光生电势。; 2．光电池的基本特性 ; （2）光照特性 光电池在不同光照强度下，有不同的光生电势或光生电流;开路电压与光强成对数关系，电路电流与光强成线性关系 受照结面积越大，短路电流越大。 当光电池作为测量元件时，应以电流源形式使用（利用其 短路电流与光强的线性关系） 当外接负载的电阻远小于光电池内阻时，即可看作为短路 电流。且负载越小，短路电流的线性关系越好，线性范围 越宽。;; 三、光敏二极管和光敏晶体管 1．光敏管的光电效应 光敏二极管和光敏晶体管也是典型的光生伏特性效应器件。;当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时，集电结就是反向偏压， 当光照射在集电结时，就会在结附近产生电子—空穴对，光生电子被拉到集电极，基区留下空穴，使基极与发射极间的电压升高，这样便会有大量的电子流向集电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的β倍，所以光敏晶体管有放大作用。 ;光敏二极管和光敏三极管在使用时，应注意保持光源与光 敏管的位置合适，即：使入射光恰好聚集在管芯所处的 区域，以利于光敏管接受光照，从而获得最大的灵敏度。 同时，为了避免灵敏度改变，使用中必须保持光源与光敏 管的相对位置不变。; 2．光敏管的基本特性 （1）光谱特性 ; （2）光照特性 光敏二极管与光敏晶体管的光照特性有明显不同，以硅管为例如图所示。光敏二极管的光照特性近似为线性关系；光敏晶体管的光照特性为非线性; （3）伏安特性 光敏管的输出电流与所加的偏置电压关系不大，具有近似的恒流特性；光敏晶体管比光敏二极管的光电流大近百倍，因而具有更高的灵敏度。; （4）频率特性 光敏二极管的频率特性较好，是半导体光敏器件中最好的一种，其响应速度达0.1μs，截止频率高，适用于快速变化的光调制信号。;无光照时，调整元件参数，使得三极管截止，常开继电器开路， LD灭。;有光照时，D1的电阻下降。 在交流电源的正半周，D2截止，常开继电器K开路，LD灭； 在负半周，三极管导通，K闭合，LD亮。;无光照灯灭，有光照灯亮。此为亮通电路。;四、光电传感器的类型;2）恒光源的光通量穿过被测物，部分被吸收后，其余到 达光电元件，称为光透射式。光的吸收量取决于被测物质 的性质。如