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- 2023-07-05 发布于四川
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本申请公开了一种混合嵌埋封装结构及其制作方法，该结构包括：基板，基板设置有第一绝缘层、导通铜柱、埋芯空腔和第一线路层；第一电子器件，设置在埋芯空腔内部，端子面朝向基板底面；第二电子器件，设置在第一电子器件的背面，端子面朝基板顶面；第二绝缘层，覆盖填充所述埋芯空腔和所述基板的上层，并露出局部第一线路层以及局部第二电子器件或者局部第一电子器件背面；第二线路层，电性连接导通铜柱和第一电子器件的端子；导线，电性连接第一线路层和第二电子器件的端子；保护罩，设置在基板的顶面。本申请的封装结构及其制作方法将嵌
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113808954 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202110914695.4
(22)申请日 2021.08.10
(71)申请人 珠海越亚半导体股份有限公司
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