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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明涉及一种包含肖特基二极管的电路及相关应用,该电路包括肖特基二极管,所述肖特基二极管的N型外延层从上到下设置有同轴线的环形的若干隐埋终端保护区,并绕设于所述肖特基接触电极的外围;所述若干隐埋终端保护区的内径从上到下依次增大,且位于下方的隐埋终端保护区的内环直径大于位于上方的隐埋终端保护区的外环直径。本发明实施例所提供的电路,二极管元器件的可靠性好,从而提高了尖峰吸收电路的使用可靠性;并且,由于二极管器件整体的制备难度,从而使得尖峰吸收电路的制造成本下降。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113809072 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202110844178.4
(22)申请日 2021.07.26
(71)申请人 浙江芯国半导体有限公司
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