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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明公开一种静态随机存取存储器及其制作方法,其中制作静态随机存取存储器的方法为,首先形成一栅极结构于基底上,然后形成一外延层于栅极结构旁,形成一第一层间介电层环绕栅极结构,将该栅极结构转换为金属栅极,形成一接触洞暴露该外延层,形成一阻障层于接触洞内,形成一金属层于阻障层上,再平坦化金属层及阻障层以形成一接触插塞,其中阻障层底部包含一富钛部分且阻障层顶部包含一富氮部分。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113809083 A
(43)申请公布日
2021.12.17
(21)申请号 20201
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