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- 2023-07-05 发布于四川
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一种半导体结构及半导体结构的形方法，结构包括：待刻蚀层；位于待刻蚀层上的过渡结构，所述过渡结构内具有防扩散离子；位于过渡结构上的牺牲层和改性层，所述牺牲层和改性层相邻。所述半导体结构的性能得到改善。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113808996 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202010537255.7
(22)申请日 2020.06.12
(71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限
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