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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明提供一种超结功率器件及其制备方法,可在形成第一导电类型外延层之后通过添加超结掩膜版、形成第二导电类型阱之前或之后通过阱掩膜版,及在形成接触结构之前或之后通过接触掩膜版,即可形成包括元胞区第二导电类型浮岛及终端区第二导电类型浮岛,及终端区第二导电类型柱及终端区第二导电类型柱,无需进行多次外延工艺,且无需进行深沟道刻蚀,制备工艺简单,成本低,成品率及可靠性较高;元胞区第二导电类型浮岛及元胞区第二导电类型柱,可提高功率器件的击穿电压,降低米勒电容和输入电容,降低导通电阻,且终端区第二导电类型浮岛
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113808945 A
(43)申请公布日
2021.12.17
(21)申请号 20201
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