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半导体基板的蚀刻方法以及蚀刻液.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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半导体基板的蚀刻方法以及蚀刻液.pdf

    本发明提供一种能够在室温水平的较低温度下进行蚀刻的半导体基板的蚀刻方法以及蚀刻液。使用蚀刻液对半导体基板进行蚀刻的半导体基板的蚀刻方法中，蚀刻液包含氟化氢和铂粒子，该半导体基板的蚀刻方法具有蚀刻液接触工序，使蚀刻液在流动的同时接触半导体基板、或者使半导体基板在移动的同时接触蚀刻液。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808932 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110652436.9 (22)申请日 2021.06.11 (30)优先权数据 2020-1045

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