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用于功函数工程的三层高k栅极介电堆叠.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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用于功函数工程的三层高k栅极介电堆叠.pdf

    本公开提供了用于功函数工程的三层高k栅极介电堆叠。一种形成半导体结构的方法包括：分别在衬底的NMOS区域和PMOS区域中提供第一沟道层和第二沟道层；在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包括氧化铪的第一层；在第二沟道层上方而不在第一沟道层上方形成第一偶极图案；通过退火将来自第一偶极图案的第一金属驱动到第一层中；去除第一偶极图案；在第一层上方以及在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包括氧化铪的第二层；在第二层和第一沟道层上方而不在第二沟道层上方形成第二偶极图案；通过退火将来自第二偶极图案的第二金属驱动到第二

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809015 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110644015.1 (22)申请日 2021.06.09 (30)优先权数据

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