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III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法.pdf

    本发明提供III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法。提供具有优异的导电性和低吸光系数的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体掺杂有N型掺杂剂和锗元素，N型掺杂剂的浓度为1×1019cm‑3以上，锗元素的浓度为N型掺杂剂的浓度的9倍以上。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113802185 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110645249.8 C30B 25/02 (2006.01)

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