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过渡金属二硫属化物薄膜的原子层沉积和蚀刻.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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过渡金属二硫属化物薄膜的原子层沉积和蚀刻.pdf

    提供了用于沉积诸如铼硫化物薄膜的过渡金属二硫属化物(TMDC)膜的气相沉积方法。在一些实施例中，使用沉积循环沉积TMDC薄膜，其中反应空间中的衬底与气相过渡金属前驱体(诸如过渡金属卤化物)、包括还原剂的反应物(诸如NH3)和硫属化物前驱体交替地并按顺序地接触。在一些实施例中，使用气相铼卤化物前驱体、还原剂和硫前驱体来沉积铼硫化物薄膜。可以通过化学气相蚀刻来蚀刻沉积的TMDC膜，学气相蚀刻使用诸如O2的氧化剂作为蚀刻反应物和诸如N2的惰性气体以移除过量蚀刻反应物。TMDC薄膜可以找到例如作为2D材

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808912 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110646474.3 (22)申请日 2021.06.10 (30)优先权数据

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