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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明提出了一种基于碳化硅MOSFET电源管理芯片设计方法，解决了二次设备硅基电源器件的高压易击穿、高温特性差、导通电阻大、损耗高的技术问题。本发明的步骤为：首先，设计具有高dv/dt抑制能力的碳化硅MOSFET驱动电路，并通过开关电路验证驱动电路的性能；其次，设计基于碳化硅MOSFETPWM环路控制电路，其中，PWM环路控制电路包括带隙基准电路、误差放大器和过温保护电路；最后，采用外置MOSFET功率器件的方式对电源管理芯片进行了测试，通过测试验证了电源管理芯片在开关电源工作环境下达到了设计
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113792513 A
(43)申请公布日 2021.12.14
(21)申请号 202111108635.X
(22)申请日 2021.09.22
(71)申请人 许继集团有限公司
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