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2023-07-05 发布于四川
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一种半导体装置，包含基板；井，为第一导电型且包含第一导电型的防击穿层；源极特征以及漏极特征，在防击穿层上且为第二导电型；条状特征，在井上且为第一导电型；多个垂直堆叠的通道层，在防击穿层上且将源极特征连接至漏极特征；栅极，环绕每个通道层；源极接点以及漏极接点，电性耦接源极与漏极特征；漏极导孔以及漏极导孔，在漏极接点与漏极接点上；条状接点，电性耦接条状特征；以及条状导孔，在条状接点上。源极导孔与条状导孔被配置以在半导体装置的非主动模式时耦接至不同电压而在半导体装置的主动模式时耦接至实质上相同的电压。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809078 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110931097.8 (22)申请日 2021.08.13 (30)优先权数据 16/994,27

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