一种无金场板GaN基射频器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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一种无金场板GaN基射频器件及其制作方法.pdf

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本发明公开了一种无金场板GaN基射频器件及其制作方法，该器件包括：衬底、依次位于衬底一侧的成核层、缓冲层、沟道层、势垒层，以及位于势垒层远离衬底一侧的源电极、栅电极、漏电极、钝化层和源场板，钝化层包括凹槽；源电极和漏电极相对设置于势垒层的第一表面的两侧，栅电极位于源、漏电极之间；钝化层覆盖于栅电极远离势垒层的表面，且与源电极、漏电极和第一表面相触；沿垂直于衬底所在平面的方向，凹槽的正投影位于栅、漏电极之间；至少部分源场板位于凹槽内，源场板与源电极电连接。本发明通过引入凹槽源场板结构，能够在产生同

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809160 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110984119.7 (22)申请日 2021.08.25 (71)申请人西安