一种TOPCon电池磷扩散工艺.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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本发明提供了一种优异的TOPCon电池磷扩散工艺,采用高温对非晶硅层进行晶化,再渐续扩散推进的方式,即在扩散前利用延长升温、恒温过程时间对非晶硅层进行晶化,降温后再进行第一次扩散+恒温推进,第二次扩散+降温推进,最后带氧退火的方式,使用该方法使得非晶硅层具有高的晶化比例,同时有效的减少了磷原子穿透隧穿氧化层,多晶硅较非晶硅有较高的电迁移率和稳定的光电性能,又保证了隧穿层的作用,通过该发明使得掺杂后非晶硅+隧穿氧化层组成的TOPCon结构增强选择载流子的作用,有利于太阳能电池效率的提升。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808927 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110999124.5 (22)申请日 2021.08.28 (71)申请人 普乐新能源科技(徐州)有限公司

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