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一种半导体用酸性钛钨蚀刻液.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种半导体用酸性钛钨蚀刻液.pdf

    本发明属于金属蚀刻技术领域，特别涉及一种半导体用酸性钛钨蚀刻液，由以下质量百分含量的组分组成：50‑70wt％磷酸、5‑10wt％强氧化性酸、5‑10wt％表面活性成分、1‑5wt％钛活化剂和余量的去离子水。本发明通过在配方中添加钛活化剂，让蚀刻既有比较高的蚀刻效率，又能够控制氮化钛与金属钨的选择比，能够更好地满足客户对钛钨合金的同步蚀刻要求。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113802120 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111084450.X (22)申请日 2021.09.16 (71)申请人 苏州博洋化学股份有限公司

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