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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明公开一种低功耗熔丝状态检测电路，PMOS管MP1和PMOS管MP2的源端接电源VCC，栅端接电压信号VP1；PMOS管MP1的漏端接PMOS管MP3的源端，PMOS管MP2的漏端接PMOS管MP4的源端；PMOS管MP3的漏端接参考电阻Rref的第一端，PMOS管MP4的漏端接熔丝Rfuse的第一端；NMOS管MN3的漏端接参考电阻Rref的第二端，NMOS管MN4的漏端接熔丝Rfuse的第二端；NMOS管MN3的栅端接熔丝Rfuse的第二端，NMOS管MN4的栅端接参考电阻Rref的第二
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113805113 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202111108776.1
(22)申请日 2021.09.22
(71)申请人 中国电子科技集团公司第五十八研
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