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半导体元件及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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半导体元件及其制作方法.pdf

    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一金属间介电层于基底上，然后形成一第一图案化掩模于第一金属间介电层上，其中第一图案化掩模包含一第一开口沿着一第一方向延伸。接着形成一第二图案化掩模于第一图案化掩模上，其中第二图案化掩模包含一第二开口沿着一第二方向延伸并与该第一开口交错而形成一第三开口，之后再形成一第一金属内连线于第三开口内。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113808997 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 20201

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