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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种高屏蔽性和隔离度的射频芯片封装结构及封装方法，该封装结构包括上下两个正面相对设置的第一硅晶圆和第二硅晶圆，第一硅晶圆的正面设有若干个焊柱并形成有金属腔体，第二硅晶圆的正面键合有若干个射频芯片，焊柱焊接在第二硅晶圆的正面且每个射频芯片分别位于每个金属腔体内，焊柱的周围设有填充料，由此采用多个布线层与金属焊柱构成金属腔，有效实现了电磁波的屏蔽作用，并在多芯片的射频微波系统封装中，有效实现不同功能芯片之间的信号隔离；在该封装方法中，采用封装加工工艺，硅基板与
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113809049 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202111093457.8 H01L 25/16 (2006.01)
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