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本发明公开了一种纯硅沸石膜及其制备方法和应用，所述制备方法先以适宜尺寸的沸石晶粒修饰多孔载体，然后在修饰晶粒的载体表面涂覆硅溶胶，在不使用传统水热晶化液的条件下，将传统晶化液中的硅源和模板剂分别供给，并精确调控模板剂蒸汽压力和去离子水的压力直接制备纯硅沸石膜，提高了材料利用率，优化纯硅沸石膜的结构，克服了传统水热晶化制备沸石膜缺陷多、浪费原料等问题，仅通过精确控制模板剂和去离子水压力即可控制纯硅沸石膜的微观结构。通过本发明的方法制备得到的纯硅沸石膜缺陷少、成品率高，在水醇混合物分离中表现出优异的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113788483 A
(43)申请公布日 2021.12.14
(21)申请号 202111097127.6
(22)申请日 2021.09.18
(66)本国优先权数据
2020111
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