晶体管的开关特性.pptxVIP

晶体管的开关特性第1页/共23页第2页/共23页S＋VR－图3-1-1 理想开关3.1.1　晶体二极管开关特性　理想开关的特性：　(1) 开关S断开时，通过开关的电流i=0，这时开关两端点间呈现的电阻为无穷大。　(2) 开关S闭合时，开关两端的电压v=0，这时开关两端点间呈现的电阻为零。　(3) 开关S的接通或断开动作瞬间完成。　(4) 上述开关特性不受其他因素（如温度等）的影响。　１．二极管稳态开关特性第3页/共23页　稳态开关特性：电路处于相对稳定的状态下晶体管所呈现的开关特性。　二极管的伏安特性方程为：iD＋iDvD　当外加正向电压时，正向电流随电压的增加按指数规律增加。图中Vth称为正向开启电压或门限电压，也称为阈值电压。IS－OvDVth(a) 二极管电路表示(b) 二极管伏安特性图3-1-2 二极管伏安特性第4页/共23页　当二极管作为开关使用时，可将其伏安特性折线化。当正向偏置时，二极管导通，压降为Vth值，相当于开关闭合；当反向偏置时，二极管截止，流过的电流为反向饱和电流，非常小，相当于开关断开。iDiDOvDOVthvD(c) 理想二极管开关特性(d) 二极管特性折线简化图3-1-2 二极管伏安特性　通常硅二极管的Vth值取0.7V，锗二极管取0.3V。　结论：在稳态情况下，二极管开关特性与理想开关存在一定差异。主要表现为，正向导通时，相当于开关闭合，但两端仍有电位降落；反向截止时，相当于开关断开，存在反向电流。此外，二极管的Vth和IS都与温度有关。第5页/共23页　２．二极管瞬态开关特性　电路处于瞬变状态下晶体管所呈现的开关特性。具体的说，就是晶体管在大信号作用下，由导通到截止或者由截止到导通时呈现的开关特性。　理想二极管作开关时，在外加跳变电压作用下，由导通到截止或者由截止到导通都是在瞬间完成，没有过渡过程。DiDvD＋－＋(a)vIR－vIVFOtVRvDO(b)tVRiDIFOt图3-1-3 理想二极管开关特性第6页/共23页　当tt1时，二极管导通，导通电压为vD≈0.6~0.7V（以硅管为例），导通电流iD=IF=(VF－vD)/R≈VF/R。　当t=t1时，vI由VF突变为－VR，由于存储电荷的存在，形成漂移电流，iD=(vI－vD)/R≈－VR/R，使存储电荷不断减少。从vI负跳变开始至反向电流降到0.9IR所需的时间，称为存储时间ts。在这段时间内，PN结维持正向偏置，反向电流IR近似不变。　　vIVFt1t2OtVRvDt2Ott1iDIFOttr－IRtstf●trr存储时间图3-1-4 二极管瞬态开关特性第7页/共23页　经过ts时间后，反向电流使存储电荷继续消失，空间电荷区逐渐加宽，二极管转为截止状态。　反向电流由IR减小至反向饱和电流值，这段时间称为下降时间tf。通常以从0.9IR下降到0.1IR所需时间确定tf。trr= ts+ tf 称为反向恢复时间。　反向恢复时间是影响二极管开关速度的主要原因，是二极管开关特性的重要参数。vIVFt1t2OtVRvDt2Ott1iDIFOttr－IR下降时间tstf●trr反向恢复时间图3-1-4 二极管瞬态开关特性第8页/共23页　在tt2期间，二极管反向截止，vD=－VR，iD=－IS，空间电荷区很宽。　当t=t2时，vI由－VR突变为VF。由于二极管两端电压不能突变，电路中产生瞬时大电流(VR+VF)/R，二极管迅速导通，iD由(VR+VF)/R迅速下降到iD=IF=VF/R。　从vI正向跳变到二极管正向导通称为二极管的正向恢复时间，通常用vD的上升时间tr来描述。与trr相比，正向恢复时间可忽略不计。vIVFt1t2OtVRvDt2Ott1iDIFOttr－IRtstf上升时间●trr图3-1-4 二极管瞬态开关特性第9页/共23页　３．二极管开关应用电路　(1) 限幅电路　将输入波形的一部分传送到输出端，而将其余部分抑制掉。常用的有串（并）联上限、下限和双向限幅器。D＋＋RvIvO＋VREF1－－－(a)vIVREF1O　图3-1-5中，当vIVREF1时，二极管导通，vO≈vI；当vIVREF1时，二极管截止，vO=VREF1。这样就将输入波形中瞬时电位低于VREF1的部分抑制掉，而将高于VREF1的部分波形传送到输出端，实现了下限限幅的功能。tvOVREF1Ot(b)图3-1-5 限幅电平为VREF1的串联 下限限幅器及工作波形演 示第10页/共23页　串联双向限幅器（假设VREF1VREF2）vIvOAVREF2＋＋D2D1VAR1R2vOOtvI＋＋VREF1VREF2－－－－(a)(b)图3-1-6 串联双向限幅器及其工作波形　vI=0时，A点电位为　vI≤VA时，D1截止，D2导通，vO≈VA。实现下限限幅，