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一种Micro-LED制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种Micro-LED制备方法.pdf

    本发明公开了一种Micro‑LED制备方法，其特征在于：采用局部高温氧化与重离子注入的组合工艺，具体步骤依次为耐高温掩膜的制备、非像素区域局部高温氧化、离子注入硬掩膜的制备和重离子的大剂量注入。本发明采用选区高温氧化的方法有利于获得低缺陷态密度的像素边界区域和更高的外量子传输效率，采用离子注入的方法有利于调整并加强像素隔离区域的高电阻特性，有效提高了Micro‑LED器件的光电性能和散热能力。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809207 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110862618.9 (22)申请日 2021.07.29 (71)申请人 中国

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