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一种新型HVPE法生长氮化镓单晶的炉体结构.pdfVIP

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  • 2023-07-06 发布于四川
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一种新型HVPE法生长氮化镓单晶的炉体结构.pdf

    本发明公开了一种新型HVPE法生长氮化镓单晶的炉体结构，包括：存放腔体，加热腔，操控室，生长炉体，气体控制系统以及尾气处理系统，存放腔体，包括有顶壁、及侧壁，顶壁开设有圆通口，存放腔体内容设有炉底盖、及升降装置，炉底盖设有上开口，升降装置是驱动炉底盖选择性地向上移动使其上开口趋近靠合于顶壁的圆通口、或向下移动远离顶壁的圆通口；加热腔，设置于存放腔体的顶壁上方，加热腔设有下开口，下开口是对应罩合于顶壁的所述圆通口上；所述操控室并排设置于所述存放腔体的侧壁一侧，所述侧壁上开设有一隔离门，所述隔离门是

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113818084 A (43)申请公布日 2021.12.21 (21)申请号 202110890100.6 (22)申请日 2021.08.04 (71)申请人 中芯研（江苏）半导体有限公司

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