【光电子技术】第3章 光探测器（1）.pptx

第三章 光探测器; 光探测器是将光信号转变为电信号的关键器件，在光电子技术中至关重要。 有两种工作机理： 基于光电效应将光信号直接转变为电信号而实现光探测； 吸收光能先转换成热能，然后再转换成电信号而实现光探测。;3.1 光探测器的理论基础;热能增大，导致吸收体的物理、机械性能变化，通过测量这些变化可确定光能量或光功率的大小，这类器件统称为光热探测器。;探测器遵从的热平衡方程： ;器件随频率ω的交变温升 ;3.1.2 光电效应;I:;;二、非平衡状态下的载流子 ;;2.光生载流子;光生载流子的寿命;2.漂移;3.1.2.2 光电导效应;;定义光电导增益 ;如果定义 ;半导体材料受阶跃光照： ;2.半导体材料受正弦型光照（即正弦调制光）:;光电导增益与带宽之积为一常数： ;一、热平衡状态下的PN结;;;;;PN结电流方程为;在自建电场作用下， 光电流Iφ的方向与I0相同。;3.1.2.4 光电发射效应;;金属光电发射的量子效率都很低,且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区。;P型Si的光电子需克服的有效亲和势为;3.1.3 光探测器的噪声;、热噪声;三、产生-复合噪声;五、温度噪声;3.1.4 光探测器的性能参数;光谱特性决定于光电器件的材料。 ;三、等效噪声功率和探测率;探测率D表明探测器探测单位入射辐射功率时的信噪比，其值越大越好。;四、响应时间与频率特性;3.2 光热探测器;; 当用斩波器调制入射光，使矩形光脉冲（周期小于ΔQ的平均寿命）作用到热电晶体表面的黑吸收层上，交变的ΔT使得晶体表面始终存在正比于入射光强的极化电荷。这种现象称为热释电效应。 ;二、基本电路;从而产生的电流为;，;应使器件工作于离居里温度稍远一点，热释电系数变化较平稳的区段。;3.3 光电探测器;、光敏电阻材料与电阻结构;光敏面作成蛇形， ;在弱光照下，如L100lx,γ＝1;2.光谱特性;3.频率特性;5.温度特性;6.前历效应;7.噪声;三、光敏电阻的偏置电路;为了使光敏电阻正常工作，必须正确选择Ub、RL。;此关系式对其它光电器件也适用（当负载线方程相同时）。;提高I或选择大的RG，可显著提高电压灵敏度。;光敏电阻上的电压为;4.恒功率偏置电路;电流控制 ;