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适于射频应用的半导体晶体管.pdfVIP

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  • 2023-07-07 发布于四川
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适于射频应用的半导体晶体管.pdf

    本公开涉及一种适于射频应用的半导体晶体管。提供了一种半导体器件，其包括衬底、有源区域、源极区域和漏极区域、第一栅极结构和第二栅极结构以及接触结构。有源区域被布置在衬底之上，源极区域和漏极区域被布置在有源区域中。第一栅极结构和第二栅极结构与有源区域邻接。第一栅极结构被布置在源极区域与漏极区域之间，以及第二栅极结构被布置在第一栅极结构与漏极区域之间。接触结构被布置在有源区域之上，该接触结构电耦合第一栅极结构。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113871450 A (43)申请公布日 2021.12.31 (21)申请号 202110609128.8 (22)申请日 2021.06.01 (30)优先权数据

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