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- 2023-07-07 发布于四川
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本发明提供了一种半导体结构及具有半导体结构的高电子迁移率晶体管装置，包括依序位于基板上的晶种层和外延层叠。外延层叠包括第一超晶格部和位于其上的第二超晶格部。第一超晶格部包括重复层叠M1次的第一单元，第一单元分别包括第一子层和位于其上的第二子层，第一子层为厚度b1纳米的Aly1Ga1‑y1N，第二子层为厚度a1纳米的Alx1Ga1‑x1N，y1
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871475 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202010614410.0
(22)申请日 2020.06.30
(71)申请人 世界先进积体电路股份有
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