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- 2023-07-07 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括存储器区，基底中形成有下层金属互连结构；在存储器区的基底上形成多个阻变存储单元结构、以及覆盖阻变存储单元结构侧壁的第一介电层，阻变存储单元结构底部与下层金属互连结构相连；在存储器区中，在相邻阻变存储单元结构之间的第一介电层上形成刻蚀阻挡层；形成覆盖阻变存储单元结构、刻蚀阻挡层和第一介电层的第二介电层；刻蚀存储器区的第二介电层，形成底部露出多个阻变存储单元结构和刻蚀阻挡的互连槽；在互连槽中形成上层金属互连结构。本发明利用刻蚀阻挡层对位于其下方的第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113871410 A
(43)申请公布日
2021.12.31
(21)申请号 20201
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