半导体集成电路-CMOS反相器的功耗特性.pptVIP

* * * CMOS反相器开关特性 * CMOS反相器的开关特性—瞬态特性 瞬态特性决定了电路的开关时间和工作速度 * tpf tpr * 1.下降时间tf 2.上升时间 tr 3.延迟时间tpd 4.最大信号频率 CL为负载电容，带负载门数越多， 连线越长，CL越大，延迟越大。 * CMOS反相器的下降时间tf Vo从 90%VDD → 10%VDD 所需的时间 * * 饱和区 Vin Vout 1. VOUT 从 90%VDD 下降到 VDD-VTN N管的VDSVGS-VTN, 工作在饱和区 * * 非饱和区 Vin Vout 2. VOUT 从VDD-VTN 下降到 10%VDD N管的VDSVGS-VTN, 工作在非饱和区 * * Vin Vout 下降时间主要由N管的尺寸决定 * * CMOS反相器的上升时间tr Vo从 10%VDD → 90%VDD 所需的时间 * * Vin=0 Vin Vout 如果N管和P管尺寸相等，KP ≈ 0.5KN(μp ≈ 0.5 μ n),则tr ≈ 2tf，因此，若希望tr＝tf，则WP ≈ 2WN 与tf的推导方法类似 上升时间由P管的尺寸决定 * * CMOS反相器的延迟时间tp 输入信号由0变化到1（或由1变化到0）后，输出端信号由输入幅值的50%变化到输出最大幅值的50%所需要的时间 0 0 * * CMOS反相器的最大信号频率fmax 输入信号频率的极限值 输入信号频率过高会使输出端电容充放电不完全，那么输出信号则不是完整的逻辑0或逻辑1 * * CMOS反相器中的功耗 CL Vdd n p 0 n管截止,p管导通,输出为“1” 0?1 n p管同时导通,输出从“1”?“0” 1 p管截止, n管导通,输出为“0” 1?0 0 1 CMOS反相器工作在两种状态 静止状态 电荷转移状态 （动态） * * CL Vdd VDD 0 t V 1.当输入信号为0时： 输出保持1不变，没有电荷转移 3.当输入信号从0－1(发生跳变)时： 输出从“1”转变为“0”, 有电荷转移 0 1 2.当输入信号为VDD时： 输出保持0不变，没有电荷转移 CMOS反相器的功耗 动态功耗 静态功耗 * * *