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- 2023-07-07 发布于四川
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本发明涉及一种改进的硅基微剂量计加工工艺方法。采用本发明所提供的方法，可以通过将P电极注入晶圆片上蚀刻形成的同心圆环状沟槽内壁、并进行氧化保护，以及在同心圆环状沟槽圆心处注入N电极且进行氧化保护，实现硅基微剂量计加工工艺过程中P电极、N电极的隔离保护；然后通过蚀刻将同心圆环状沟槽外的硅除去，再填充人体组织的等效材料以提升硅基微剂量计的测量准确性；最后对电极部分氧化层进行蚀刻、沉积金属操作，再将多余的沉积金属去除，仅留连接同种电极上的引线部分，实现了N+电极引线和P+电极引线完全隔离。采用本发明所
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113866811 A
(43)申请公布日 2021.12.31
(21)申请号 202110924367.2
(22)申请日 2021.08.12
(71)申请人 中国辐射防护研究院
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