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晶圆级金属扩散键合结构及键合方法.pdfVIP

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  • 2023-07-08 发布于四川
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晶圆级金属扩散键合结构及键合方法.pdf

    本申请涉及晶圆键合技术领域，具体公开了一种晶圆级金属扩散键合结构及键合方法，金属扩散键合结构包括相对设置的第一键合晶圆和第二键合晶圆，以及设置在所述第一键合晶圆与所述第二键合晶圆之间的金属扩散键合结构；所述金属扩散键合结构分别通过介质层和所述第一键合晶圆以及所述第二键合晶圆键合连接；金属扩散键合结构包括设置在第一键合晶圆上的第一金属结构、设置在第二键合晶圆上且与第一金属结构对应的第二金属结构，以及连接在第一金属结构与所述第二金属结构之间的石墨烯键合层。本申请能够采用石墨烯形成键合层，使得制备的金

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116403923 A (43)申请公布日 2023.07.07 (21)申请号 202310594289.3 (22)申请日 2023.05.23 (71)申请人 甬矽半导体（宁波）有限公司 地址

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