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- 2023-07-12 发布于四川
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本发明涉及半导体领域，更具体的说是一种半导体器件加工方法。包括以下步骤：S1：将金属筒安置在空管内，将金属筒上的金属柱I从空管的上部引出；S2：将橡胶塞安装在金属筒的下部，将金属柱II安置在橡胶塞上；S3：将金属柱II移动至金属筒的中心位置；S4：将盐水灌注至空管内部将空管填充，制作出半导体器件。所述半导体器件包括空管、金属筒、支撑座和防滑条，金属筒的前后两侧均设置有支撑座，每个支撑座上均粘接有多个防滑条，两个支撑座分别支撑在空管的内侧上部。加工出的半导体器件可以调整导电系数。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116417350 A
(43)申请公布日 2023.07.11
(21)申请号 202310410409.X
(22)申请日 2023.04.18
(71)申请人 赵启军
地址 071000 河
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