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半导体器件制造过程中的IC清洗技术 TOC \o 1-5 \h \z 目录1.引言1 \o Current Document .半导体制造的基本工艺流程2 \o Current Document .污染物杂质的分类6 \o Current Document 3. 1.颗粒6 \o Current Document 3. 2.有机物6 \o Current Document 3. 3.金属污染物7 \o Current Document 3. 4.原生氧化物及化学氧化物7 \o Current Document 4 ?清洗方法分类7 \o Current Document 4.1.湿法清洗7 \o Current Document 4. 2. RCA清洗法7 \o Current Document 4. 3.稀释化学法9 \o Current Document 4. 4. IMEC 清洗法9 \o Current Document 4. 5.单晶片清洗11 \o Current Document 4. 6.干法清洗11 \o Current Document 5.总结12 1.引言 在半导体器件的制造过程中，由于需要去除被称为硅晶片的硅衬底上纳米 级的异物（颗粒），1/3的制造过程被称为清洗过程。在半导体器件中，通常进行 RCA清洁，其中半导体器件以一批25个环（盒）为单位，依次浸入氨水，过氧化 氢溶液，盐酸等加热的化学品中。然而，最近，为了降低环境负荷的目的和半 导体器件的多品种化，需要片叶式的清洗方法，喷射纯水的清洗工序正在增加。 在单片式清洗中，超声波振动体型清洗装置是一种有效的清洗方法，目前已被 许多工艺所使用。通过超声波振动器的清洁是通过从超声波振动器向纯水施加 超声波振动来加速水分子的清洁方法。 本方法的目的是利用频率在5MHz-10MHz的超声波振动体技术，达到下一 代半导体器件清洗技术的目标。我们使用样品基板，在硅晶片上涂覆直径为l|im 的聚苯乙烯胶乳（PSL）颗粒，对超声波振动型清洗装置的清洗能力进行了验证。 第1页共12页 中高浓度溶解，但反应速度较慢，导致HDMS不能完全去除；较高温度下，反 应速度加快，但臭氧的溶解浓度较低，同样影响HMDS的清除效果。因此为了 较好的去除有机物，必须使温度、浓度参数达到最优化。 表2自动湿法槽中典型的IMEC清洗法 第一步 90C Smin 三步快速冲洸 6QVOQX： 8 mm 改良的胡寸 O/DI 水 优化条和 第二步 dHF(0.5%) /dHCUO.JM) 22t 2min 前三步 ?后冲洗O/HCL （附加充户备■） 2or lOmin 2or 8min 整体清愧时间 32min 第二步，去除氧化层，同时去除颗粒和金属氧化物。Cu, Ag等金属离子存 在于HF溶液时会沉积到Si表面。其沉积过程是一个电化学过程，在光照条件 下，铜的表面沉积速度加快。通常采用HF/HCL混合物在去除氧化层和颗粒的 同时抑制金属离子的沉积。添加氯化物可抑制光照的影响，但少量的氯化物离 子由于在Cu 2+/CU+反应中的催化作用增加了 Cu的沉积，而大量的氯化物离子 添加后形成可溶性的高亚铜氯化物合成体抑制铜离子沉积。优化的HF/HCL混 合物可有效预防溶液中金属外镀，增长溶液使用时间。 第三步，在硅表面产生亲水性，以保证干燥时不产生干燥斑点或水印。通 常采用稀释HCL/03混合物，在低pH值下使硅表面产生亲水性，同时避免再发 生金属污染，并且在最后冲洗过程中增加HN03的浓度可减少Ca表面污染。 IMEC清洗法与RCA清洗法的比较见表30 表3 IMEC清洗法与RCA清洗法 行案物 此片上e■污染物/ X IO,C， Ca Fc Cu Zn 污臭物最初於度 154.4 S.6 4.4 1.8 改良的RCA消洗后 0.26 0.2 0.4 0.2 IMEC MftjB 0.26 0.1 0.07 0.08 从表中可以看出IMEC清洗法可达到很低的金属污染，并以其低化学品消耗 及无印迹的优势获得较好的成本效率。 第10页共12页 4. 5.单晶片清洗 大直径晶片的清洗采用上述方法不好保证其清洗过程的完成，通常采用单 晶片清洗法，如下图所示，其清洗过程是在室温下重复利用DI-0 3/DHF清洗液, 臭氧化的DI水(DI-03)产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金 属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果, 不会发生交叉污染。最后冲洗不是采用DI水就是采用臭氧化DI水。为了避免 水渍，采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇(IPA)进行干燥处理。单晶片清洗具有或 者比改良的RCA清洗更好的清洗效果，