微机原理 第五章 存储器.pptVIP

74LS245 A DIR G B CPU D7 ~ D0 A10 ~A0 6116 WE OE CS D7 ~ D0 A10 ~A0 WR RD M/IO ?1 ?1 片选译码 A19 ~A11 与非门的译码电路 74LS30 第六十二页，共八十八页，2022年，8月28日 74LS245 A DIR G B 与非门的译码电路 CPU D7 ~ D0 A10 ~A0 6116 WE OE CS D7 ~ D0 A10 ~A0 WR RD M/IO ?1 ?1 74LS30 ?1 A19 A18 A16 A17 A15 A13 A14 A12 1 0 1 0 0 0 0 0 0 A11 第六十三页，共八十八页，2022年，8月28日 作业 用6116芯片，设计一个4K*16bit的存储器，连接到8086CPU.要求地址范围从B1000h开始。 第六十四页，共八十八页，2022年，8月28日 五、SRAM和DRAM 第三十页，共八十八页，2022年，8月28日 一、静态随机存取存储器（SRAM） 构成器件： 双极型—快速稳定，集成度低，工艺复 杂。 MOS—速度较双极型低，比DRAM快。 特点：存取周期快（双极型10nS,MOS 几十-几百nS），不需刷新，外电 路简单，基本单元晶体管数目较 多，适于小容量。 ⑴六管基本存储器 T1T2—双稳态触发器 T3T