一种厚栅介质TDICCD的制作方法.pdfVIP

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2023-07-15 发布于四川
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一种厚栅介质TDICCD的制作方法.pdf

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本发明涉及一种厚栅介质TDICCD的制作方法，包括：制作一次复合栅介质层，去除场区和地区的氮化硅层并进行场氧化和地氧化；制作溢漏和沟阻；去除一次复合栅介质层；在有源区形成二次复合栅介质层；去除场区和地区的厚氮化硅薄膜；对有源区内无需增透的区域上方的厚氮化硅薄膜进行减薄；去除溢漏和沟阻上方的厚氮化硅薄膜。本发明中，采用二次复合栅介质工艺，将光照区的厚氮化硅被形成孤岛，消除了厚氮化硅应力对芯片制作的影响，并提供了一个薄氮化硅与厚氮化硅的缓冲区，该工艺经过多批次验证，证明该工艺方法稳定、可靠，具有重复

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116435326 A (43)申请公布日 2023.07.14 (21)申请号 202310385882.7 (22)申请日 2023.04.12 (71)申请人中国电子科技集团公司第四十四研