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- 2023-07-15 发布于四川
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本发明涉及一种超分辨激光纳米直写光刻技术,具体涉及一种基于双光束的高通量超分辨三维刻写方法与系统,该方法为,合束光平行入射数字微镜器件并经数字微镜器件反射后入射微透镜阵列,于微透镜阵列焦平面处形成聚焦点阵,使该聚焦点阵成像于双光束光刻胶表面形成激发光束与抑制光束重合的刻写点阵,对双光束光刻胶进行曝光;合束光由激发光束与抑制光束合束得到;通过调节数字微镜器件区域微镜的开关状态,调控刻写点阵中各点处的能量;通过调节抑制光束的能量,使刻写点阵中各点于中心区域形成光刻胶聚合促进,于外围区域形成光刻胶聚合
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116430687 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310698595.1
(22)申请日 2023.06.14
(71)申请人 之江实验室
地址 311121
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