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本发明提供一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，深紫外发光二极管包括由下至上层叠设置的防翘曲层、衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层以及欧姆接触层，其中，防翘曲层至少包括第一子层，第一子层的材料为氮化铝；上述深紫外发光二极管通过在衬底上远离本征层的一侧外延生长具有氮化铝材料的防翘曲层，由于氮化铝材料的生长温度很高，可以在升温过程中使衬底沿靠近本征层的方向凹陷，从而减缓了衬底在另一侧外延生长其他外延膜层时导致的翘曲形变，进而提高了深紫外发光二极管的外延片内波长
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116435425 A
(43)申请公布日 2023.07.14
(21)申请号 202310347533.6
(22)申请日 2023.04.03
(71)申请人 苏州紫灿科技有限公司
地址 21
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