射频芯片在片测试的去嵌结构、方法、存储介质及终端.pdfVIP

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2023-07-19 发布于四川
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射频芯片在片测试的去嵌结构、方法、存储介质及终端.pdf

本发明提供一种射频芯片在片测试的去嵌结构、方法、存储介质及终端，包括：基于第一、第二微带线测试结构的T参数得到测试夹具的直通T参数，并转换为测试夹具的直通S参数；测试负载测试结构，分别得到待测件两侧的测试夹具的反射系数；基于待测件两侧的测试夹具的反射系数、负载的本征S参数及测试夹具的直通S参数求解得到待测件两侧的测试夹具的S参数；通过矩阵转换得到待测件两侧的测试夹具的T参数；基于待测件的测试结构的T参数、待测件两侧的测试夹具的T参数求解待测件的本征T参数，并转换为待测件的本征S参数。本发明没有假

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116449183 A (43)申请公布日 2023.07.18 (21)申请号 202310451463.9 (22)申请日 2023.04.24 (71)申请人上海新微半导体有限公司地址 2

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