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- 2023-07-20 发布于四川
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本申请公开了一种封装芯片电学性能测试结构的制作方法、封装芯片电学性能的测试方法,包括:提供第一晶圆和第二晶圆;分别在所述第一晶圆和所述第二晶圆上形成顶层金属层;分别在所述第一晶圆和所述第二晶圆的部分所述顶层金属层上形成凸块;去除所述第一晶圆中位于所述凸块下方之外的顶层金属层,完全保留所述第二晶圆中的顶层金属层;分别封装所述第一晶圆和所述第二晶圆形成第一颗粒和第二颗粒,将所述第二颗粒设置于基板上,所述凸块与所述基板连接,所述基板相对于所述第二颗粒的另一侧设置有用于测试的导电结构;采用探针与所述导电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113539868 A
(43)申请公布日
2021.10.22
(21)申请号 20201
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