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用于痕量金属分析的半导体晶片的气相腐蚀方法.pdfVIP

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  • 2023-07-20 发布于四川
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用于痕量金属分析的半导体晶片的气相腐蚀方法.pdf

    用于腐蚀位于腐蚀腔室内的可旋转的板上的半导体晶片的表面层的方法和装置，其中，通过以下述方式将腐蚀气体引入到腐蚀腔室中来获得表面的均匀腐蚀：使腐蚀气体的流不直接指向晶片，而是能够在与待腐蚀的半导体晶片的表面接触之前首先散布在腐蚀腔室内。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109075056 A (43)申请公布日 2018.12.21 (21)申请号 201780

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