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- 2023-07-20 发布于四川
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本发明公开了一种体声波谐振器及其制备方法,涉及MEMS器件制造领域,该制备方法包括:提供基底;在基底表面生长非晶硅,在非晶硅表面形成反射栅;在反射栅上形成下电极,对下电极进行平坦化处理,平坦化结束在下电极的信号输出区域制作阻挡层;在形成有阻挡层的下电极上形成压电层;在所述压电层上形成上电极,完成谐振器。本发明通过剥离工艺及CMP工艺对下电极进行平坦化,很好的保证了压电层的成膜质量,进而减小谐振器的插入损耗,提高谐振器的品质因数Q。同时本发明通过对下电极的信号输出区域进行阻挡工艺,解决了压电层在湿
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113472311 A
(43)申请公布日 2021.10.01
(21)申请号 202110779441.6
(22)申请日 2021.07.09
(71)申请人 无锡市好达电子股份有限公司
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