实验课程及实验室安全预习报告-集成电路工艺实验.docVIP

电子科技大学微固学院 实验课程及实验室安全预习报告 （实验）课程名称 集成电路工艺实验 学号： 姓名： 实验地点： 实验日期： 电子科技大学半导体工艺实验中心制表 一、实验目的与要求： 熟悉半导体工艺的一般步骤，包括氧化、光刻、刻蚀、扩散、金属淀积、测试等等。 掌握铝栅CMOS器件详细制备工艺流程。 掌握铝栅CMOS器件各制备工艺步骤的参数要求，如时间、温度、气体流量、溶液配比、真空度等等。 学习半导体特性图示仪及探针台的使用。 完成对所制备的CMOS器件的参数测试。 二、实验相关原理预习 硅片热氧化的工作原理： 硅片热氧化就是将硅片放在高温（通常750℃至1200℃）的氧气或水汽气氛下，使其表面生长一层氧化层（SiO2）的过程。 氧化方式可分为三类，分别是干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化。 二氧化硅在半导体集成电路中具有十分广泛的应用。 光刻的工作原理： 光刻就是把掩膜版上的电路图形超精确地转移到涂覆在硅片上的光刻胶膜上，为后续刻蚀或掺杂提供掩蔽膜，以完成图形的最终转移的工艺过程。 光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。 半导体光刻工艺决定了半导体器件的关键尺寸。 刻蚀的工作原理： 刻蚀的工艺目的是把光刻胶图形精确地转移到硅片上，最后达到复制掩膜版图形的目的。它是在硅片上复制图形的最后主要图形转移工艺。 刻蚀可分为干法刻蚀和湿法刻蚀。 扩散的工作原理： 热扩散是半导体杂质掺杂工艺之一，它是指将一定数量和一定种类的杂质掺入到硅或其它晶体中，以改变晶体的电学性质，并使掺入的杂质数量和分布情况都满足要求的工艺过程。 热扩散工艺分为两步，分别是预扩散和再扩散。 电子束蒸发的工作原理： 电子束蒸发是指在高真空中，使用电子束将固体成膜材料加热并使之变成气态原子淀积到硅片上的物理过程。 使用电子束蒸发金属铝，使之淀积到硅片表面，最终形成金属互连线。 三、实验内容与步骤预习纲要： 硅片清洗实验： 了解实验安全注意事项，掌握清洗溶液比例、温度及时间要求。 光刻、刻蚀实验： 了解光刻机的工作原理以及使用方法，掌握光刻工艺参数要求，掌握刻蚀溶液配比要求。 扩散实验： 了解热扩散炉的工作原理及使用方法，掌握工艺温度、时间等要求。 氧化实验： 掌握二氧化硅薄膜生长机理，了解工艺参数对二氧化硅薄膜性能产生的影响。 电子束蒸发镀膜实验： 了解高真空对蒸发镀膜的必要性，了解常用的蒸发舟形状和镀料熔点。 器件参数测试： 了解半导体特性图示仪和探针台的使用方法，掌握CMOS器件的测试方法。 四、使用的实验仪器（设备、元器件）： 清洗设备一套；光刻、刻蚀设备一套；氧化设备一套；扩散设备二套；电子束蒸发系统一台；半导体参数测试系统一套；四探针测试设备一台；热烘箱二套；石英玻璃器皿若干；硅片若干。 五、实验室安全操作事项 安全操作的重要性和必要性学习的目的是消除一切使设备遭到损坏、使环境遭到污染的因素或现象，避免设备事故的发生，保证实验安全。 操作人员必须严格按设备操作指导书和安全操作规程进行作业，注意设备本身及设备运行中的安全，特别要重视安全装置的检查和使用。 在电器仪表使用过程中，如发现有不正常声响，局部温升或嗅到绝缘漆过热产生的焦味，应立即切断电源，并报告教师进行检查。 实验室不允许带食品和饮料入内，并要注意保持卫生清洁和过道通畅，不拥挤，不大声喧哗，有序地开展实验的各项工作。 注意：未经实验指导老师允许，任何同学不许随意动用实验室的仪器设备。 六、思考题（选答3道） 不同氧化方式的氧化速率及氧化层质量有何差异？ 二氧化硅在集成电路中的应用包含哪些？本次实验过程中二氧化硅起到的作用有哪些？ 本次实验过程中我们使用的是接触式紫外光光刻机，由此可见，我们所制备的器件的关键尺寸大约为多少？ 使用湿法刻蚀二氧化硅薄膜时使用的溶液是什么？这种溶液如何对人类身体产生危害？ 热扩散分两步工艺完成，分别是预扩散和再扩散，其目的是什么？ 七、预习遇到的问题：