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- 2023-07-22 发布于四川
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本发明公开了一种高开通性能的SiCMOSFET驱动电路，该所述驱动电路包括与栅极电阻Rg相互并联的变栅极电阻辅助电路，栅极电阻Rg的一端连接到PWM驱动电路的输出端，另外一端连接到SiCMOSFET的栅极，所述的变栅极电阻辅助电路仅由R‑C电路、三极管开关器件Q、辅助电阻Rassit和二极管D1组成。该驱动电路结构简单，不需要复杂的比较控制电路、逻辑控制电路和开关用的栅极电阻，也不需要数字处理器进行控制。与无辅助电路的SiC器件门极驱动技术相比开通速度更快、开通后电流振荡更少，能够减少开通损
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111211762 A
(43)申请公布日
2020.05.29
(21)申请号 20201
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